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半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS；立式LPCVD采用鐘罩式結構，設計嵌套腔體機械手傳片組件、舟旋轉組件，具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩定性高等優點。
LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS。
專門用于碳化硅（SiC）氮化鎵（GaN）器件的離子注入后退火工藝，采用特殊的無金屬加熱設計使加工溫度提高到2000℃。 適用工藝：SiC和GaN晶圓的退火
專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實現晶圓片高溫真空環境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝：氧化
該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業的氧化、擴散、退火、合金等工藝。 氧化工藝：主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。
該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ； 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。
本設備主要是用于制備單晶金剛石。可激發高穩定度的等離子團，從而確保單晶生長的持續性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長（無銥法），將原料放在垂直的坩堝內， 然后從坩堝尖端開始通過預設好的溫度梯度區作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）等外延生長。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）等外延生長。
本設備主要用于砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物晶體生長。設備由機架、安瓿支撐機構、加熱器和控制系統組成，能夠實現安瓿移動和轉動的精確控制。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長，將原料放在留有狹縫的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具頂部，受籽晶誘導結晶生長成單晶。