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山東力冠微電子裝備

產品展示


LPCVD立式爐

半導體集成電路制造的重要設備之一,主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS;立式LPCVD采用鐘罩式結構,設計嵌套腔體機械手傳片組件、舟旋轉組件,具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩定性高等優點。

LPCVD臥式爐

LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一,主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS。

SiC高溫退火爐

專門用于碳化硅(SiC)氮化鎵(GaN)器件的離子注入后退火工藝,采用特殊的無金屬加熱設計使加工溫度提高到2000℃。 適用工藝:SiC和GaN晶圓的退火

SiC高溫氧化爐

專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝,可實現晶圓片高溫真空環境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O,NO,NO2或濕法氧化,采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝:氧化

臥式爐

該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一,用于大規模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業的氧化、擴散、退火、合金等工藝。 氧化工藝:主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。

立式爐

該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一,用于大規模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ; 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。

MPCVD長晶爐

本設備主要是用于制備單晶金剛石。可激發高穩定度的等離子團,從而確保單晶生長的持續性,為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。

垂直布里奇曼法(VB)爐(非銥技術)

本設備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(無銥法),將原料放在垂直的坩堝內, 然后從坩堝尖端開始通過預設好的溫度梯度區作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。

HVPE外延爐——臥式

本設備主要用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)等外延生長。

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