liguan1218@163.com
15562450816
中文 | English
網站首頁
關于我們
公司簡介
企業文化
專利證書
產品展示
半導體工藝設備
化合物半導體設備
新聞資訊
公司新聞
行業資訊
招賢納士
管理理念
加入力冠
聯系我們
English
產品分類
氧化/擴散/退火
立式爐
SiC高溫氧化爐
SiC高溫退火爐
臥式爐
CVD設備
立式LPCVD
臥式LPCVD
化合物晶體設備
SiC單晶生長設備
PVT法長晶爐
液相法長晶爐
籽晶粘接設備
GaN單晶生長設備
Ga2O3單晶生長及外延設備
導模法長晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術）
HVPE外延爐
金剛石單晶生長設備
GaAs / InP 單晶生長設備
聯系方式
地址：濟南市槐蔭區濟南寬禁帶半導體產業園
電話：15562450816
郵箱：liguan1218@163.com
LPCVD立式爐
半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS；立式LPCVD采用鐘罩式結構，設計嵌套腔體機械手傳片組件、舟旋轉組件，具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩定性高等優點。
LPCVD臥式爐
LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS。
在線留言
擴散/氧化/退火
Ga2O3單晶生長設備
Copyright ? 山東力冠微電子裝備有限公司
網站建設：中企動力 濟南二分 | 標簽 | 營業執照 | 城市分站
