產(chǎn)品展示
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? PECVD主要應(yīng)用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長，工作原理是在低壓引入高頻射頻電源，采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電，形成等離子體狀態(tài)，產(chǎn)生大量的活性基團(tuán)，這些活性基團(tuán)在襯底材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積到襯底表面，生長出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
? 該設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金和燒結(jié)等工藝 ? 設(shè)計(jì)了硅片生產(chǎn)的多種工藝性能需要，具有生長效率高、產(chǎn)品性能優(yōu)越的特點(diǎn) ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn) ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝
◆ 主要用于半導(dǎo)體器件退火及燒結(jié)等工藝，可進(jìn)行真空、氣體保護(hù)等 ◆ 設(shè)備結(jié)構(gòu)新穎,操作方便 ◆ 在一臺(tái)設(shè)備上可以完成多個(gè)工藝流程
◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學(xué)氣相沉積的一種特殊方式，其生長薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù)，而且與襯底的晶向保持對應(yīng)的關(guān)系 ◆ 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術(shù)生長的砷化鯨(GaAs)純度高、電學(xué)特性好，廣泛的應(yīng)用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應(yīng)晶體管等微波器件中
◆ 直拉法晶體生長專用設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)在高壓、真空和保護(hù)氣氛下直拉生長晶體 ◆ 采用自動(dòng)稱重結(jié)構(gòu)，在保證晶體品質(zhì)的前提下實(shí)現(xiàn)了直拉晶體的自動(dòng)生長過程
◆ 快速退火爐是利用紅外熱輻射實(shí)現(xiàn)快速加熱的一種半導(dǎo)體熱處理工藝設(shè)備，通過燈光輻射型熱源功率控制模塊裝置和專用燈組對位于工藝腔體的半導(dǎo)體硅片進(jìn)行快速加熱來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的升溫過程