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? PECVD主要應用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長，工作原理是在低壓引入高頻射頻電源，采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電，形成等離子體狀態，產生大量的活性基團，這些活性基團在襯底材料表面發生化學反應并沉積到襯底表面，生長出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
? 該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業的擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ? 設計了硅片生產的多種工藝性能需要，具有生長效率高、產品性能優越的特點 ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩定性高等優點 ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝
◆ 主要用于半導體器件退火及燒結等工藝，可進行真空、氣體保護等 ◆ 設備結構新穎,操作方便 ◆ 在一臺設備上可以完成多個工藝流程
◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系 ◆ 在半導體科學技術的發展中，氣相外延發揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術生長的砷化鯨(GaAs)純度高、電學特性好，廣泛的應用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應晶體管等微波器件中
◆ 直拉法晶體生長專用設備，可實現在高壓、真空和保護氣氛下直拉生長晶體 ◆ 采用自動稱重結構，在保證晶體品質的前提下實現了直拉晶體的自動生長過程
◆ 快速退火爐是利用紅外熱輻射實現快速加熱的一種半導體熱處理工藝設備，通過燈光輻射型熱源功率控制模塊裝置和專用燈組對位于工藝腔體的半導體硅片進行快速加熱來實現穩定的升溫過程